SK Hynix ประกาศลงทุน 54 ล้านล้านวอน (38.1 พันล้านดอลลาร์) สร้างโรงงานผลิตชิปหน่วยความจำ 2 แห่งในเกาหลีใต้ ได้แก่ Y2 ใน Yongin (ผลิต DRAM) และ M17 ใน Cheongju (ผลิต NAND) เพื่อรับมือกับความต้องการ HBM ที่เพิ่มขึ้นจากอุตสาหกรรม AI โดยเฉพาะจาก Nvidia ซึ่งต้องการหน่วยความจำในปริมาณมหาศาล โรงงาน Y2 จะเริ่มก่อสร้างในปี 2027 และเปิดใช้งานในปี 2029 ส่วน M17 จะเริ่มก่อสร้างในปี 2027 และเปิดใช้งานในปี 2028 ตามข้อมูล Counterpoint Research ตลาด DRAM กำลังเผชิญภาวะขาดแคลน ทำให้ราคาหน่วยความจำพุ่งสูงขึ้น ส่งผลให้ SK Hynix ต้องแข่งขันกับ Samsung ที่เพิ่งแซงขึ้นเป็นผู้นำตลาด DRAM ชั่วคราว ทั้งนี้ SK Hynix ระบุว่าการลงทุนครั้งนี้เป็นส่วนหนึ่งของแผน "master plan" ที่จะลงทุนรวม 700 ล้านล้านวอนในโครงการ Yongin Semiconductor Cluster และขยายฐานผลิตใน Cheongju อย่างต่อเนื่อง การลงทุนครั้งนี้มีเป้าหมายเพื่อเพิ่มกำลังการผลิตให้ทันกับความต้องการที่เพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็ว โดยเฉพาะจากบริษัทผู้ผลิตเซิร์ฟเวอร์และชิปที่ใช้ HBM อย่างหนัก ทั้งนี้ ฝ่ายวิจัยของ Counterpoint Research ระบุว่าการขยายกำลังการผลิตจากหลายผู้ผลิตในตลาดจะช่วยเพิ่มกำลังซื้อโลกได้มากในช่วงปี 2028 แต่ความต้องการที่เพิ่มขึ้นเร็วกว่าแผนการขยายกำลังการผลิต อาจทำให้ราคาหน่วยความจำไม่ลดลงจนกว่าจะถึงปลายปี 2028
สรุปด้วย MAF Local AI · เนื้อหาต้นฉบับเป็นของแหล่งข่าว