บริษัทเทคโนโลยีจีน Langdao Silex สาธิตแหล่งแสง EUV แบบต้นแบบที่สร้างพลังงานได้ 15W พร้อมส่วนประกอบในประเทศถึง 90% ที่งานแสดงสินค้าในเซี่ยงไฮ้ แม้จะมีประสิทธิภาพด้านความคงที่ แต่ยังไม่เพียงพอสำหรับการผลิตชิปในปริมาณมาก บริษัทระบุว่าต้องใช้เวลาอีก 3-5 ปีก่อนจะสามารถนำไปใช้งานจริงได้ เทคโนโลยี EUV ของ Langdao ใช้ระบบ LPP (Laser-Produced Plasma) ซึ่งมีประสิทธิภาพการแปลงพลังงาน 2% ต่ำกว่า ASML ที่ใช้แหล่งแสง EUV กำลังไฟฟ้าสูงกว่า 250W แม้จะมีความสำเร็จในระดับต้นแบบ แต่ยังต้องพัฒนาให้ได้กำลังไฟฟ้าและประสิทธิภาพเทียบเท่ามาตรฐานระดับโลก การพัฒนาแหล่งแสง EUV ของ Langdao ส่งผลต่ออุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์จีนที่ต้องพึ่งพาเทคโนโลยีจาก ASML ซึ่งไม่สามารถนำเข้าอุปกรณ์ได้ แม้จะมีข้อดีด้านการผลิตในประเทศ แต่การสร้างแหล่งแสงที่มีประสิทธิภาพสูงยังต้องแก้ปัญหาหลายด้าน เช่น ความเสถียรของแหล่งกำเนิดแสงและประสิทธิภาพการแปลงพลังงาน แหล่งแสง EUV ของ Langdao ใช้เทคโนโลยี LPP ซึ่งมีกำลังไฟฟ้า 15W แต่ต่ำกว่าแหล่งแสง EUV ที่ใช้ในเครื่องจักรผลิตชิปของ ASML และ Gigaphoton ที่มีกำลังไฟฟ้าสูงกว่า 100W ถึง 118W แสดงให้เห็นความท้าทายในการพัฒนาเทคโนโลยีนี้ให้รองรับการผลิตในระดับอุตสาหกรรม
สรุปด้วย MAF Local AI · เนื้อหาต้นฉบับเป็นของแหล่งข่าว